반도체 공정시설의 다층·다중 공간 가스 확산

가스공급실에서 발생한 가상 염소 누출을 대상으로, 연결된 실내 공간과 층 사이의 이동 조건을 살펴봅니다.

09 · 다층·다중 공간 실내 해석 · 가상 시나리오

반도체 공정시설의 다층·다중 공간 가스 확산

가스공급실에서 발생한 가상 염소 누출을 대상으로, 연결된 실내 공간과 층 사이의 이동 조건을 살펴봅니다.

  • 시설 구성3개 층 · 다중 실 · 복도 · 계단실 · 설비 샤프트
  • 누출 가정하부층 가스 캐비닛 연결부의 염소 누출
  • 비교 조건구역 압력차 · 급·배기 · 문 개폐 · 관통부 밀폐
3개 층의 다중 실과 복도, 계단, 설비 샤프트를 연결한 반도체 시설 절개 개념도
반도체 시설의 다중 실·복도·층간 연결부를 통한 확산 경로

연결된 시설 공간

구역가상 공간 구성검토할 연결부
하부층가스공급실·기계설비실·유지보수 복도캐비닛 배기, 출입문, 배관 관통부
공정층여러 공정실·장비 서비스 공간·연결 복도실간 출입문, 설비 샤프트, 바닥 관통부
상부층환기설비실·부속 설비실급·배기 덕트, 샤프트 연결부
층간 연결계단실·설비 샤프트·덕트방화문·댐퍼 상태와 구획별 밀폐 조건

실제 시설의 배치·설비 계통을 재현한 도면이 아닌, 연결 공간 해석을 설명하기 위한 가상 구성입니다.

분석 시 살펴볼 항목

  1. 누출원과 공간 연결 정의

    누출 위치·지속시간과 각 실의 체적, 문, 관통부, 샤프트, 계단실을 정의합니다. 덕트는 실제 연결 계통과 운전 상태를 확인해 구성합니다.

  2. 구역별 환기와 압력 조건 비교

    국소배기 정상·정지, 급·배기량, 문 개폐, 관통부 밀폐 조건을 각각 변경합니다. 압력차와 풍량은 서로 일관되도록 설정하고 질량수지를 확인합니다.

  3. 공간별 도달 순서와 잔류 확인

    계산 후 동일한 기준으로 실별 농도 시간 이력, 최초 도달 시점, 잔류 구역과 층간 이동량을 비교합니다. 이동 방향과 도달 순서는 사전에 단정하지 않습니다.

  4. 전체 연결 구조와 층별 분포 함께 보기

    전체 절개도로 실과 층의 관계를 파악하고, 실제 계산을 수행하면 층별 평면 분포와 시간별 변화를 추가합니다.

사례의 범위

아직 계산을 수행하지 않은 가상 시나리오입니다. 개념도에 표시한 층간 경로는 특정 조건의 검토 대상으로, 염소가 항상 위층으로 이동한다는 의미가 아닙니다. 시설 형상, 누출원, 환기 경계조건과 모델 적용성을 확인한 후 해석 결과를 제시합니다.

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